Descripción
El FGH60N60SMD de ONSEMI es un transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ de canal N diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta eficiencia. Este dispositivo de última generación combina una baja resistencia RDS(on) con excelentes capacidades de conmutación, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conversión de energía.
Características Técnicas
Parámetro | Especificación | Condiciones |
---|---|---|
Voltaje Drain-Source (VDSS) | 600 V | – |
Corriente Continua de Drain (ID) | 60 A | TC = 25°C |
Resistencia Drain-Source RDS(on) | 0.068 Ω | VGS = 10V, ID = 30A |
Capacidad de Entrada (Ciss) | 6800 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
Capacidad de Salida (Coss) | 420 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
Capacidad de Transferencia Inversa (Crss) | 110 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
Tiempo de Encendido (ton) | 35 ns | VDD = 300V, ID = 30A |
Tiempo de Apagado (toff) | 45 ns | VDD = 300V, ID = 30A |
Temperatura de Operación | -55°C a +150°C | – |
Resistencia Térmica (RθJC) | 0.45°C/W | – |
Encapsulado | TO-247 | 3 Pines |
Voltaje Gate-Source (VGS) | ±30 V | – |
Disipación de Potencia (PD) | 378 W | TC = 25°C |
Usos Principales
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores solares
- Cargadores de vehículos eléctricos
- UPS industriales
- Controladores de motores
- Convertidores DC-DC
- Sistemas de iluminación LED industrial
- Equipos de soldadura
- Sistemas de calentamiento por inducción
- Fuentes de servidor
Beneficios
- Alta Eficiencia
- Baja resistencia RDS(on)
- Reducidas pérdidas por conmutación
- Mejor rendimiento térmico
- Robustez
- Alta capacidad de avalancha
- Zona de operación segura extendida
- Excelente inmunidad a dV/dt
- Rendimiento Superior
- Rápida velocidad de conmutación
- Excelente comportamiento en conmutación suave
- Alta capacidad de corriente
- Versatilidad
- Amplio rango de temperatura de operación
- Compatible con múltiples topologías
- Ideal para aplicaciones de alta frecuencia