Descripción
El HY1906P de HUAYI es un transistor MOSFET de canal N de modo de mejora diseñado para aplicaciones de conmutación y administración de energía en sistemas de inversor. Ofrece un bajo RDS(ON) de 7,5 mΩ (típico) a VGS = 10 V, lo que lo convierte en una opción eficiente para aplicaciones de alta corriente. El HY1906P también está clasificado para un voltaje máximo de drenaje-fuente de 65 V y una corriente de drenaje continua máxima de 130 A.
Características principales:
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tipo de transistor | MOSFET de canal N |
| Modo de operación | Mejora |
| Voltaje máximo de drenaje-fuente (VDS) | 65 V |
| Corriente de drenaje continua máxima (ID) | 130 A |
| Resistencia de drenaje-fuente en estado de encendido (RDS(ON)) | 7,5 mΩ (típico) a VGS = 10 V |
| Voltaje de puerta de umbral (VGS(th)) | 2,8 V |
| Carga de la puerta (Qg) | 22 nC |
| Temperatura de funcionamiento máxima (Tj) | 150 °C |
| Encapsulado | TO-220 |
Usos:
- Aplicaciones de conmutación
- Administración de energía en sistemas de inversor
- Fuentes de alimentación
- Convertidores de potencia
- Controladores de motor
Beneficios:
- Bajo RDS(ON) para una alta eficiencia
- Alto voltaje y corriente nominales para aplicaciones de alta potencia
- Encapsulado TO-220 para una fácil disipación del calor
- 100% probado contra avalanchas para una mayor confiabilidad
- Libre de plomo y dispositivos ecológicos disponibles (cumpliendo con RoHS)
Conclusiones:
El HY1906P de HUAYI es un MOSFET de canal N de alta potencia y eficiencia que es ideal para una variedad de aplicaciones de conmutación y administración de energía. Su bajo RDS(ON), alto voltaje y corriente nominales, y encapsulado TO-220 lo convierten en una opción atractiva para diseñadores que buscan un dispositivo confiable y eficiente.
