Descripción
El FGH60N60SMD de ONSEMI es un transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ de canal N diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta eficiencia. Este dispositivo de última generación combina una baja resistencia RDS(on) con excelentes capacidades de conmutación, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conversión de energía.
Características Técnicas
| Parámetro | Especificación | Condiciones |
|---|---|---|
| Voltaje Drain-Source (VDSS) | 600 V | – |
| Corriente Continua de Drain (ID) | 60 A | TC = 25°C |
| Resistencia Drain-Source RDS(on) | 0.068 Ω | VGS = 10V, ID = 30A |
| Capacidad de Entrada (Ciss) | 6800 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
| Capacidad de Salida (Coss) | 420 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
| Capacidad de Transferencia Inversa (Crss) | 110 pF | VDS = 25V, VGS = 0V |
| Tiempo de Encendido (ton) | 35 ns | VDD = 300V, ID = 30A |
| Tiempo de Apagado (toff) | 45 ns | VDD = 300V, ID = 30A |
| Temperatura de Operación | -55°C a +150°C | – |
| Resistencia Térmica (RθJC) | 0.45°C/W | – |
| Encapsulado | TO-247 | 3 Pines |
| Voltaje Gate-Source (VGS) | ±30 V | – |
| Disipación de Potencia (PD) | 378 W | TC = 25°C |
Usos Principales
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores solares
- Cargadores de vehículos eléctricos
- UPS industriales
- Controladores de motores
- Convertidores DC-DC
- Sistemas de iluminación LED industrial
- Equipos de soldadura
- Sistemas de calentamiento por inducción
- Fuentes de servidor
Beneficios
- Alta Eficiencia
- Baja resistencia RDS(on)
- Reducidas pérdidas por conmutación
- Mejor rendimiento térmico
- Robustez
- Alta capacidad de avalancha
- Zona de operación segura extendida
- Excelente inmunidad a dV/dt
- Rendimiento Superior
- Rápida velocidad de conmutación
- Excelente comportamiento en conmutación suave
- Alta capacidad de corriente
- Versatilidad
- Amplio rango de temperatura de operación
- Compatible con múltiples topologías
- Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
