Descripción
El transistor IGBT 40N60FD2 de Silan Microelectronics es un componente electrónico de alta potencia y eficiencia diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y control de potencia.
Tabla de características detalladas:
| Característica | Valor | Unidad |
|---|---|---|
| Tensión máxima de colector-emisor (VCE) | 600 | V |
| Corriente máxima de colector continua (IC) | 40 | A |
| Corriente máxima de pulso de colector (pulso) | 80 | A |
| Tensión máxima de puerta-emisor (VGE) | 20 | V |
| Corriente máxima de puerta (pulso) | 10 | A |
| Frecuencia de conmutación máxima | 20 | kHz |
| Temperatura de funcionamiento máxima (Tj) | 175 | °C |
| Encapsulado | TO-247 | – |
Usos:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores de potencia
- Controladores de motores
- Calentamiento por inducción
- Equipos de soldadura
- Vehículos eléctricos
Beneficios:
- Alta eficiencia y confiabilidad
- Baja pérdida de potencia
- Alta velocidad de conmutación
- Fácil de usar y montar
- Robusto y resistente
