Descripción
El transistor 60N60FD1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
| Característica | Valor | Unidad |
|---|---|---|
| Tensión máxima de colector-emisor (VCE) | 600 | V |
| Corriente máxima de colector continuo (IC) | 60 | A |
| Tensión máxima de puerta-emisor (VGE) | 20 | V |
| Corriente máxima de pico de colector (ICM) | 100 | A |
| Tensión de saturación de colector-emisor (VCE(sat)) | 3.0 | V |
| Corriente de fuga de colector-emisor (ICE) | 100 | µA |
| Frecuencia de conmutación máxima (fsw) | 10 | kHz |
| Temperatura de funcionamiento máxima (Tj) | 175 | °C |
| Encapsulado | TO-247 3L | – |
Usos:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Convertidores de CC a CA
- Controladores de motores
- Inversores solares
- Cargadores de baterías
- Electrodomésticos
Beneficios:
- Alta eficiencia
- Alta velocidad de conmutación
- Baja pérdida de potencia
- Alta confiabilidad
- Bajo costo
