Descripción
El IRF3205PBF es un transistor tipo MOSFET de potencia N-canal HEXFET® de Infineon que ofrece una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y eficiencia, como convertidores de potencia, controladores de motores y fuentes de alimentación.
Características:
| Característica | Valor | Unidad |
|---|---|---|
| Tensión de drenaje-fuente (VDS) | 55 | V |
| Corriente de drenaje continua (IDS) | 110 | A |
| Corriente de drenaje en pulso (pulso de 10 µs) | 225 | A |
| Resistencia de drenaje-fuente (RDS(on)) | 0,008 | Ω |
| Carga de la compuerta (Qg) | 31 | nC |
| Diodo de cuerpo integrado | Sí | – |
| Encapsulado | TO-220AB | – |
| Peso | 2,2 | g |
Usos:
- Convertidores DC-DC
- Controladores de motores
- Fuentes de alimentación
- Conmutación de cargas de alta potencia
- Aplicaciones de energía solar
- Inversores
Beneficios:
- Baja resistencia a la sobrecarga
- Rendimiento de conmutación rápido
- Alta eficiencia
- Alta confiabilidad
- Encapsulado TO-220AB robusto
- Compatible con RoHS
