Description
El IRFP4229PBF es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia, como fuentes de alimentación, convertidores de CC a CC y controladores de motores.
Características:
Característica | Valor |
---|---|
Voltaje Drain-Source (VDS) | 250 V |
Corriente Drain Continua (ID) | 44 A |
Resistencia Drain-Source On (RDS(on)) | 46 mΩ |
Carga de la Puerta (Qg) | 72 nC |
Temperatura de Junction Máxima (Tj) | 175 °C |
Encapsulado | TO-247AC |
Polaridad | Canal N |
Usos:
- Fuentes de alimentación
- Convertidores de CC a CC
- Controladores de motores
- Inversores
- Aplicaciones de alta potencia
Beneficios:
- Alta potencia y eficiencia
- Baja resistencia Drain-Source
- Baja carga de la puerta
- Alta temperatura de junction
- Encapsulado TO-247AC robusto