Descripción
El MBR41H100CT de ON Semiconductor es un diodo Schottky de alto rendimiento que ofrece una combinación ideal de alta eficiencia, baja pérdida de potencia y alta capacidad de sobrecarga. Está diseñado para su uso en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo:
- Fuentes de alimentación
- Rectificadores de onda completa
- Protección de circuitos
- Inversores
- Aplicaciones de conmutación
Características:
| Característica | Valor |
|---|---|
| Corriente continua máxima (If) | 40A |
| Voltaje máximo inverso (Vrrm) | 100V |
| Corriente de fuga inversa máxima (Ir) | 100µA |
| Caída de voltaje directa (Vf) | 0.95V |
| Temperatura de unión máxima (Tj) | 175°C |
| Encapsulado | TO-220-3 |
| Montaje | Superficie |
Beneficios:
- Alta eficiencia: La baja caída de voltaje directa del MBR41H100CT reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia del sistema.
- Baja pérdida de potencia: La baja pérdida de potencia del MBR41H100CT lo hace ideal para aplicaciones donde la disipación de calor es una preocupación.
- Alta capacidad de sobrecarga: El MBR41H100CT puede soportar corrientes de sobrecarga de hasta 250A por 10ms, lo que lo hace ideal para aplicaciones de protección de circuitos.
- Encapsulado TO-220-3: El encapsulado TO-220-3 del MBR41H100CT es un paquete robusto y fácil de montar que es ideal para una amplia gama de aplicaciones.
Usos:
- Fuentes de alimentación de CA a CC
- Rectificadores de onda completa
- Protección de circuitos
- Inversores
- Aplicaciones de conmutación
